نام و نام خانوادگی:بهناز حق ورد
عنوان پایان نامه: مطالعه ، بررسی و بهبود عملکرد مدار تمام جمع کننده با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی
رشته تحصیلی:مهندسی برق- الکترونیک
مقطع تحصیلی: کارشناسی ارشد ناپیوسته
استاد راهنما: دکتر عبدالحسین رضائی
چکیده:
ترانزیستورهای اثرمیدان مبتنی بر نانولوله کربنی به واسطه مشخصه الکترواستاتیکی بهتر و قابلیت تحرک بیشترالکترون ها یکی از گزینه‌های مناسب برای جایگزینی ترانزیستورهای مبتنی بر CMOS در آینده‌ای نزدیک می‌باشند. از طرف دیگر جمع‌كننده یکی از مدارهای کاربردی در طراحی مدارهای دیجیتال نظیر مدارهاي محاسباتی، فيلترها و پردازشگرها می‌باشد. دراین پایان‌نامه مدل جدیدی برای ترانزیستور اثرمیدان نانولوله کربنی ارائه شده است. سپس با استفاده از این ترانزیستوراثرمیدان نانولوله کربنی جدید یک مدارجمع کننده یک بیتی جدید برای کار در ولتاژهای بسیار پایین طراحی شده است. مدارطراحی شده با استفاده از HSPICE شبیه‌سازی شده است . نتایج حاصل از شبیه‌سازی نشان می‌دهد انرژی مصرفی مدار جمع کننده تک بیتی ارائه شده درحدود 12درصد انرژی مصرفی درحالت پیاده‌سازی ترانزیستورهای مبتنی بر CMOSمی‌باشد. همچنین عملکرد این مدار از نظر تأخیر نیز نزدیک به 60 درصد بهبود داشته است.
کلیدواژه: ترانزیستور، اثرمیدان نانولوله کربنی، جمع‌کننده، فناوری نانو