شماره دانشجویی : 931133005
نام و نام خانوادگی : مرتضی شفیع زاده
عنوان پایان نامه : بهبود عملکرد ترانزیستورهای نانولوله ای کربنی با تغییر در ساختار آنها
رشته تحصیلی : مهندسی برق – الکترونیک
مقطع تحصیلی : کارشناسی ارشد ناپیوسته
استاد راهنما : دکتر عبدالحسین رضائی
چکیده : با ورود به فناوری نانو، همراه مزایایی که به دنبال داشته، چالش‌های فراوانی نیز فراروی متخصصین الکترونیک پدید آمده است. برخی از این چالش‌ها مربوط به فرآیند و فناوری ساخت و بخشی مربوط به کوچک شدن ابعاد ترانزیستورها است. افزایش مسائل و مشکلات در ساختارهای جدید سبب شده تا پژوهشگران به فکر استفاده از مواد جدید جایگزین در مدارهای الکترونیکی باشند، تا به‌جای استفاده ابزارهای سیلیکونی، از مواد دیگری بهره گیرند. در این پایان‌نامه یکی از بهترین جایگزین‌های سیلیکون، تحلیل‌شده است.
ساختار موردبررسی، ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله‌های کربنی است، که به دلیل خاصیت الکتریکی مطلوب، قابلیت جایگزین شدن در مدارات CMOS سیلیکونی را دارد؛ ولیکن، ازآنجایی‌که توجه محققین بر روی عملکرد این ترانزیستورها جلب شده است، ضرورت دارد که برای بهبود عملکرد این ترانزیستورها تلاش نمود. یکی از مهم‌ترین دغدغه محققین در قطعات جدید پیشنهادی علاوه بر مؤلفه‌های سازگاری با مدارات پیشین، کم نمودن توان مصرفی در قطعات پیشنهادی جدید می‌باشد. لذا در این پایان‌نامه روش جدیدی در جایگزینی عایق گیت ارائه‌شده و بهبود در توان مصرفی ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله‌های کربنی مشاهده‌شده است، همچنین سایر عملکردهای ترانزیستور پیشنهادی نیز موردبررسی قرارگرفته و افزایش در نسبت جریان حالت روشن به خاموش و کاهش در ترا رسانایی DIBLو ولتاژ آستانه و همچنین در نوسان زیر آستانه دیده‌شده است. کلیه موارد توسط نرم‌افزار HSPICE شبیه‌سازی‌شده و نتایج موردبحث و مقایسه قرارگرفته است.
کلمات کلیدی : ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله‌های کربنی ، عایق دی‌الکتریک گیت ، توان مصرفی
تاریخ دفاع : 1394